随着集成电路工艺的发展，半导体器件集成度不断提高，越来越多的大规模集成电路开始应用在卫星和航天器上，而空间辐射环境中的宇宙射线、质子以及电子等高能粒子，会使其功能退化甚至失效，严重影响卫星可靠性和寿命，甚至直接关系到航天任务的成败。静态随机存储器（SRAM）以其低功耗、高速度等优势在数据运算、信息处理以及自动化控制领域成为了不可或缺的部件，并且在民用乃至航天系统中都有广泛的应用。随着航天技术的发展及需要，越来越多的CMOS SRAM器件被应用到各类航天器和卫星的控制和信息处理系统中。因而，开展大规模集成电路尤其是SRAM器件辐射效应与损伤机理的研究，建立SRAM辐射损伤测试方法和评估技术，对我国发展电子对抗以及航天技术具有一定的现实意义。 本文主要以ETC公司生产的256kbit SRAM和1Mbit SRAM为研究对象，对SRAM及大规模集成电路的辐射损伤效应与损伤机理进行研究，并对评估方法进行了初步探索。主要的工作如下： 一、不同于单个晶体管或中小规模集成电路，可以进行IV测量，甚至可以分别求出氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷引起的漂移电压，大规模SRAM由大量晶体管组成，却仅有几十个管脚可以利用，能提供的内部信息观测点极其有限，因此，我们开发并改进了SRAM多参数测量系统，通过对SRAM器件读写功能以及其他电气参数（包括输出高低电平，静态功耗电流，动态读写电流，传输延迟）的测试来评估其辐射损伤，同时也为SRAM辐射损伤测试技术以及评估方法的探索提供了可能的途径。 二、以往的总剂量效应的研究主要是针对单管和中小规模集成电路，且辐射损伤机理和评估方法比较成熟，而对大规模集成电路的研究相对较少，而且没有统一的理论和评估方法。本论文在所内长期进行辐射效应和损伤机理研究的基础上，进行了SRAM辐射损伤测试（256Kbit和1Mbit SRAM）,并对其敏感参数及辐射效应与损伤机理进行了研究。 三、在空间环境中，SRAM不仅工作于动态读写状态，也可能工作在其他静态偏置状态，因此，为了更全面地评估其寿命，需要对其在不同偏置条件下进行总剂量效应的研究，探索其最劣偏置条件，本论文对256Kbit和1MbitSRAM共进行了多种不同偏置条件的辐照实验及退火实验。