随着集成电路的发展，静态随机存储器（Static Random Access Memory，简称SRAM）逐渐成为数字处理、信息处理、自动控制设备中不可缺少的部件，并被广泛地应用到各类航天器和卫星的控制系统中。然而空间电离辐射环境会给SRAM带来辐射损伤，降低其可靠性和稳定性，严重时会导致器件功能失效，最终影响航天任务的顺利进行。因此，开展SRAM器件的电离辐射响应规律和损伤机理的研究，建立大规模SRAM 集成电路的测试方法和评估技术，对我国抗辐射电子学及航天领域的发展具有重要的意义。 本文主要以1Mbit的静态随机存储器为研究对象，对大规模SRAM集成电路的辐射效应及辐射损伤机理进行了研究，并对SRAM总剂量辐射效应评估方法进行了初步探索。主要的研究工作与结论如下： 由于对大规模SRAM集成电路的总剂量辐射效应研究不同于一般意义上的SRAM功能测试和故障检测，需要有专门的辐射效应测试系统。根据这个要求，我们自制了一套SRAM多参数测试系统，该系统除了能进行SRAM读写功能检测外，还能测试器件的输出高低电平、静态及动态功耗电流、传输延迟以及输入输出波形的比较等，为SRAM的辐射效应和损伤机理研究提供了有利的武器。 为了更加准确地对SRAM的辐射效应进行评估，需要确立SRAM总剂量辐射下的敏感参数。文中对SRAM器件的多个电特性参数和功能参数的辐照敏感度进行了分析，最终确立了功耗电流作为SRAM辐射效应的敏感参数。同时，对SRAM的电参数和功能参数的相关性进行了研究，确立了器件功能失效的预警量。 由于实际工作中的SRAM常常处于不同的偏置状态，因此有必要对不同偏置条件下SRAM的辐射效应进行研究。本文共进行了八种不同偏置条件下的SRAM总剂量辐照实验及退火实验，结果表明：偏置条件对SRAM器件的辐射损伤有较大影响，不同偏置条件下的SRAM器件的辐射损伤明显不同，其中静态加电偏置的损伤最大，其次是工作状态，浮空状态最小。不同偏置条件下的差异主要来自于内部电势和电场分布不同等因素。辐照偏置条件不同，SRAM器件参数在退火过程中的恢复程度也不同。辐照损伤越大的偏置条件下，电参数和功能参数随退火时间恢复的程度越小，通过研究初步认为该现象主要与辐射感生的陷阱能级有关联。另外，退火温度对器件参数的恢复影响很大，其中高温更有利于器件参数的退火。 为了更好地对实际空间中的SRAM辐射效应进行模拟评估，本文进行了不同剂量率下的SRAM辐照实验，结果表明：无论是电参数的退化还是功能参数的失效，都表现出低剂量率损伤明显大于高剂量率的情况。并且在辐照过程中，不同剂量率均出现功能参数在一定的总剂量辐照后的“恢复”现象，认为这种现象主要是由于大量的界面陷阱电荷产生，补偿了氧化物陷阱电荷的作用，使得器件阈值电压明显回漂造成的。