一种基于常压化学气相沉积的大面积单层二硫化钨薄膜的制备方法和产品
文献类型:专利
作者 | 石彪![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
发表日期 | 2020-04-28 |
专利号 | 2018100842154 |
著作权人 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明涉及一种基于常压化学气相沉积的大面积单层二硫化钨薄膜的制备方法和产品,制备过程包括SiO2/Si衬底清洗、旋涂WO3无水乙醇分散液、衬底烘干处理、样品放置和二硫化钨薄膜生长,该方法通过旋涂WO3无水乙醇分散液使WO3前驱体均匀分散于衬底上,并在石英管生长腔室内放置单端封闭的小口径石英管,有效地控制S粉末和WO3前驱体参与成核和薄膜生长过程的用量,制得的二硫化钨薄膜面积大,呈单层,且尺寸大,该方法还具有快速,可重复的优点,对大面积单层二硫化钨薄膜的制备具有重要意义。 |
分类号 | C23c16/30(2006.01)i |
申请日期 | 2018-01-29 |
语种 | 中文 |
状态 | 已授权 |
源URL | [http://119.78.100.138/handle/2HOD01W0/11481] ![]() |
专题 | 精准医疗单分子诊断技术研究中心 |
作者单位 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 石彪,王德强,周彪,等. 一种基于常压化学气相沉积的大面积单层二硫化钨薄膜的制备方法和产品. 2018100842154. 2020-04-28. |
入库方式: OAI收割
来源:重庆绿色智能技术研究院
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