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InAs/GaAs submonolayer quantum-dot superluminescent diodes with active multimode interferometer configuration

文献类型:期刊论文

作者Li Xin-Kun ; Jin Peng ; Liang De-Chun ; Wu Ju ; Wang Zhan-Guo
刊名chinese physics b
出版日期2013
卷号22期号:4页码:048102
学科主题半导体材料
收录类别SCI
语种英语
公开日期2013-09-17
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24327]  
专题半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
Li Xin-Kun,Jin Peng,Liang De-Chun,et al. InAs/GaAs submonolayer quantum-dot superluminescent diodes with active multimode interferometer configuration[J]. chinese physics b,2013,22(4):048102.
APA Li Xin-Kun,Jin Peng,Liang De-Chun,Wu Ju,&Wang Zhan-Guo.(2013).InAs/GaAs submonolayer quantum-dot superluminescent diodes with active multimode interferometer configuration.chinese physics b,22(4),048102.
MLA Li Xin-Kun,et al."InAs/GaAs submonolayer quantum-dot superluminescent diodes with active multimode interferometer configuration".chinese physics b 22.4(2013):048102.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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