温度梯度区域熔炼法制备2 μm 低吸收 ZnGeP_2晶体
文献类型：期刊论文
| 刊名 | 人工晶体学报
 |
| 出版日期 | 2014 |
| 卷号 | 43 |
| 关键词 | ZGP 晶体 籽晶温度梯度区域熔炼法 吸收系数 |
| ISSN号 | 1000-985X |
| 其他题名 | Investigation on the 2 μm Low Absorption ZnGeP_2 Crystal Grown by Temperature Gradient Solution Zone Method |
| 英文摘要 | 针对高温熔体生长的ZnGeP_2( ZGP)晶体,易在能带边缘附近出现宽光学吸收带,难以直接应用的问题,开展了籽晶温度梯度区域熔炼生长方法探索研究,最终在较低温度( 945 ℃左右)生长出ф20 mm×30 mm单晶,晶体2μm附近吸收系数处于0.16~0.3 cm~(-1)之间。但采用当前方法,如何改善晶体光学均匀性、结晶质量,提高原料利用率等一系列问题,还有待进一步研究。 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:5187623 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/66098]  |
| 专题 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | . 温度梯度区域熔炼法制备2 μm 低吸收 ZnGeP_2晶体[J]. 人工晶体学报,2014,43. |
| APA | (2014).温度梯度区域熔炼法制备2 μm 低吸收 ZnGeP_2晶体.人工晶体学报,43. |
| MLA | "温度梯度区域熔炼法制备2 μm 低吸收 ZnGeP_2晶体".人工晶体学报 43(2014). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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