非晶硅薄膜的准分子激光晶化研究
文献类型：期刊论文
| 刊名 | 红外与激光工程
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| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 044 |
| 关键词 | 准分子激光退火 非晶硅薄膜 多晶硅 能量密度 脉冲次数 |
| ISSN号 | 1007-2276 |
| 其他题名 | Crystallization of amorphous Si films by excimer laser annealing |
| 英文摘要 | 利用Kr F准分子激光器晶化非晶硅薄膜,研究了不同的激光能量密度和脉冲次数对非晶硅薄膜晶化效果的影响。利用X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）对晶化前后的样品的物相结构和表面形貌进行了表征和分析。实验结果表明,在激光频率为1 Hz的条件下,能量密度约为180 m J/cm2时,准分子激光退火处理实现了薄膜由非晶结构向多晶结构的转变;当大于晶化阈值180 m J/cm2小于能量密度230 m J/cm2时,随着激光能量密度增大,薄膜晶化效果越来越好;激光能量密度为230 m J/cm2时,晶化效果最好、晶粒尺寸最大,约60 nm,并且此时薄膜沿Si（111）面择优生长;脉冲次数50次以后对晶化的影响不大。 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:5391945 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/65885]  |
| 专题 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | . 非晶硅薄膜的准分子激光晶化研究[J]. 红外与激光工程,2015,044. |
| APA | (2015).非晶硅薄膜的准分子激光晶化研究.红外与激光工程,044. |
| MLA | "非晶硅薄膜的准分子激光晶化研究".红外与激光工程 044(2015). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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