基于Au辅助化学刻蚀法实现低成本制备硅纳米线阵列
文献类型：期刊论文
| 刊名 | 半导体光电
 |
| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 36 |
| 关键词 | Au膜 金属辅助化学刻蚀 Si纳米线 浸润层 低成本 |
| ISSN号 | 1001-5868 |
| 其他题名 | Low-cost Preparation of Si Nanowires Array through Au-assisted Chemical Etching |
| 英文摘要 | Au在Si表面的成膜质量对金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线至关重要。以Ti、Cr作为浸润层，可显著改善Au在硅表面的成岛趋势，获得优质的Au膜并大幅度减少Au的使用量。同时，针对加入Ti、Cr后对Au辅助化学刻蚀影响的研究表明，Cr在刻蚀液中是稳定的，因此阻碍了Au催化刻蚀反应，而Ti与反应溶液快速反应，不影响Au对Si衬底化学刻蚀的催化作用。基于以上工作，以PS球为模板沉积制备Ti/Au(3nm/20nm)优质膜，使用金属辅助化学刻蚀，制备了有序的Si纳米线阵列。 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:5503557 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/65782]  |
| 专题 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | . 基于Au辅助化学刻蚀法实现低成本制备硅纳米线阵列[J]. 半导体光电,2015,36. |
| APA | (2015).基于Au辅助化学刻蚀法实现低成本制备硅纳米线阵列.半导体光电,36. |
| MLA | "基于Au辅助化学刻蚀法实现低成本制备硅纳米线阵列".半导体光电 36(2015). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。