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高气压直流辉光CH4/H2等离子体放电过程中的占空比效应

文献类型:期刊论文

刊名真空科学与技术学报
出版日期2019
卷号039
关键词高气压直流等离子体 占空比 波形 发射光谱
ISSN号1672-7126
其他题名Effect of Duty Ratio on High Pressure DC Glow Discharge of CH4/H2 Plasma
英文摘要对高气压下直流均匀辉光放电的脉冲占空比效应进行了研究。在1.7 kHz脉冲放电条件下,当占空比高于73%时,脉冲间隔后电压需要经过10~20μs的上升时间至稳定;而电流增长明显地滞后于电压的上升,整个增长过程需要的时间约是电压上升时间的10倍。减小占空比,表示电流增长快慢程度的时间常数τ几乎线性增加。这是因为小占空比时,上升通道开始时刻的等离子体电子密度低,放电电流需要更长时间才能稳定。在高气压条件下,粒子碰撞效应显著增强,增加的放电功率被更多地被用于加热中性粒子,表现为Hα、Hβ等发射光谱强度随占空比降低而增加。进一步减小占空比,电子密度n_e衰减到过低,时间常数τ增加到一定值时,放电就难以维持,表现为放电不稳定乃至熄灭。
语种中文
CSCD记录号CSCD:6501933
源URL[http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/63492]  
专题中国科学院合肥物质科学研究院
推荐引用方式
GB/T 7714
. 高气压直流辉光CH4/H2等离子体放电过程中的占空比效应[J]. 真空科学与技术学报,2019,039.
APA (2019).高气压直流辉光CH4/H2等离子体放电过程中的占空比效应.真空科学与技术学报,039.
MLA "高气压直流辉光CH4/H2等离子体放电过程中的占空比效应".真空科学与技术学报 039(2019).

入库方式: OAI收割

来源:合肥物质科学研究院

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