高纯硒化镉（CdSe）多晶原料的合成研究
文献类型：期刊论文
| 刊名 | 人工晶体学报
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| 出版日期 | 2017 |
| 卷号 | 046 |
| 关键词 | 硒化镉 多晶合成 Ⅱ-Ⅵ族半导体 |
| ISSN号 | 1000-985X |
| 其他题名 | Study on the Polycrystalline Synthesis Method for High Purity CdSe Compound |
| 英文摘要 | 硒化镉（CdSe）是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,在核辐射探测、非线性频率转换等方面都有着重要的应用。高纯原料是生长优质CdSe单晶,实现上述应用的基础,但目前合成方法存在效率低、纯度不高等缺点。为此实验室对传统高温元素合成法进行优化,利用理论计算的反应温度点为指导,辅以外部加压,控制内外压差,有效实现原料的批量、安全合成,单次可合成200 g,经粉末衍射（XRD）、综合热分析（TG/DTA）、等离子发射光谱仪（ICP）等测试,合成的原料质量较好,能生长出较大尺寸单晶。文中对合成过程可能的纯度影响因素及控制措施也进行了相应讨论。 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:6046133 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/61465]  |
| 专题 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | . 高纯硒化镉（CdSe）多晶原料的合成研究[J]. 人工晶体学报,2017,046. |
| APA | (2017).高纯硒化镉（CdSe）多晶原料的合成研究.人工晶体学报,046. |
| MLA | "高纯硒化镉（CdSe）多晶原料的合成研究".人工晶体学报 046(2017). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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