采用正交法研究金刚石偏压形核
文献类型：期刊论文
| 刊名 | 材料开发与应用
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| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 018 |
| 关键词 | 偏压形核 化学气相沉积 正交试验 金刚石 微波等离子体 单晶硅衬底 薄膜 |
| ISSN号 | 1003-1545 |
| 其他题名 | Study on Bias-enhanced Nucleation of Diamond Using Orthogonal Method |
| 英文摘要 | 在微波等离子体化学气相沉积装置中，采用正交试验法研究金刚石在镜面抛光的Si(100)面上的偏压形核过程中，形核时间、偏压电压、气压及甲烷浓度对形核密度的影响，研究结果表明：形核密度随形核时间的增加而增加，适中的偏压电压和沉积气压有利于金刚石的形核，而甲烷浓度的影响很小。正交试验所得的最佳形核条件为偏压-150V；时间12min；气压4kPa；CH4比率5%，在该条件下金刚石的形核密度达到10^10个/cm^2。 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:1375564 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/61123]  |
| 专题 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | . 采用正交法研究金刚石偏压形核[J]. 材料开发与应用,2003,018. |
| APA | (2003).采用正交法研究金刚石偏压形核.材料开发与应用,018. |
| MLA | "采用正交法研究金刚石偏压形核".材料开发与应用 018(2003). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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