离子注入对纳米Si3N4结构的影响
文献类型：期刊论文
| 刊名 | 无机材料学报
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| 出版日期 | 2001 |
| 卷号 | 016 |
| 关键词 | 量子限制效应 离子注入 纳米氮化硅 结构 荧光谱 光学性质 |
| ISSN号 | 1000-324X |
| 英文摘要 | 通过FT－IR、XPS格荧光光谱研究了离子注入对纳米Si3N4结构的影响，发现离子注入改变了材料中游离硅（a-Si)的结构，使其变成了SiNn(n-1,2)，荧光谱研究表明纳米Si3N4具有明显的量子限制效应，并且荧光峰的位置和强度存在不稳定性，根据实验结果给出了纳米Si3N4的能级结构图。 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:779645 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/60845]  |
| 专题 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | . 离子注入对纳米Si3N4结构的影响[J]. 无机材料学报,2001,016. |
| APA | (2001).离子注入对纳米Si3N4结构的影响.无机材料学报,016. |
| MLA | "离子注入对纳米Si3N4结构的影响".无机材料学报 016(2001). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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