改进水平籽晶气相法生长CdSe单晶
文献类型：期刊论文
| 刊名 | 人工晶体学报
 |
| 出版日期 | 2017 |
| 卷号 | 046 |
| 关键词 | 气相升华法 晶体生长 CdSe晶体 性能检测 |
| ISSN号 | 1000-985X |
| 其他题名 | Growth of CdSe Crystal by Modified Horizontal Seed Vapor Phase Method |
| 英文摘要 | 采用改进的双温区水平籽晶气相升华法,生长出尺寸为15 mm×35 mm的完整Cd Se单晶体。经X射线衍射仪、能谱分析仪和傅里叶红外光谱仪的检测,Cd Se单晶粉末衍射谱与标准衍射峰吻合较好,单晶摇摆曲线半高宽0.5°;Cd、Se化学计量比等于1∶0.977,接近理想比;晶体在2.5-20.0μm红外波段范围内的透过率T〉65%,吸收系数α〈0.1 cm^-1。这些结果表明,采用本方法生长的晶体结晶性较好、成分均匀、透过率较高,品质良好,这对生长类似高蒸气压、高熔点的Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ族晶体,会有所帮助。 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:5906971 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/60273]  |
| 专题 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | . 改进水平籽晶气相法生长CdSe单晶[J]. 人工晶体学报,2017,046. |
| APA | (2017).改进水平籽晶气相法生长CdSe单晶.人工晶体学报,046. |
| MLA | "改进水平籽晶气相法生长CdSe单晶".人工晶体学报 046(2017). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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