微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积法制备多晶硅薄膜
文献类型：期刊论文
| 刊名 | 核聚变与等离子体物理
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 032 |
| ISSN号 | 0254-6086 |
| 关键词 | 电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积 低温 直接制备 多晶硅薄膜 |
| 其他题名 | The fabrication of polycrystalline Si thin film by electron cyclotron resonance plasma source enhanced CVD |
| 英文摘要 | 利用微波电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积（ECR．PECVD）采用一步法直接在K9玻璃上低温沉积制备了多晶硅薄膜。研究了不同实验参数对薄膜沉积的影响，采用x射线衍射（XRD）、拉曼光谱、扫描电子显微镜（SEM）等实验分析方法对不同条件下制备的样品进行了晶体结构和表面形貌分析，并讨论了多晶硅薄膜沉积的最佳条件。实验结果表明，玻璃衬底上多晶硅薄膜呈柱状生长，并有一定厚度的非晶孵化层；较高氢气比例和衬底温度有利于结晶，薄膜的结晶率达到了62％；晶粒团簇的最大尺寸约为500nm。 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:4729595 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/60207]  |
| 专题 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | . 微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积法制备多晶硅薄膜[J]. 核聚变与等离子体物理,2012,032. |
| APA | (2012).微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积法制备多晶硅薄膜.核聚变与等离子体物理,032. |
| MLA | "微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积法制备多晶硅薄膜".核聚变与等离子体物理 032(2012). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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