^4He和^（12）C离子Rutherford背散射的Geant4模拟
文献类型：期刊论文
| 刊名 | 吉林大学学报：理学版
 |
| 出版日期 | 2013 |
| 卷号 | 051 |
| 关键词 | Geant4 重离子 RBS分析 薄膜 |
| ISSN号 | 1671-5489 |
| 其他题名 | Geant4-Based Simulation of ^4He and ^（12）C Ions Rutherford Backscattering on Thin Films |
| 英文摘要 | 利用Geant4程序模拟270,500keV4 He和12 C离子垂直入射Au,Ag,Cu薄膜上的Rutherford背散射谱（RBS）,并讨论材料、厚度和入射离子能量对背散射谱的影响.结果表明,能量较大的12C离子具有较好的质量分辨率. |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:4893499 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/58667]  |
| 专题 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | . ^4He和^（12）C离子Rutherford背散射的Geant4模拟[J]. 吉林大学学报：理学版,2013,051. |
| APA | (2013).^4He和^（12）C离子Rutherford背散射的Geant4模拟.吉林大学学报：理学版,051. |
| MLA | "^4He和^（12）C离子Rutherford背散射的Geant4模拟".吉林大学学报：理学版 051(2013). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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