Room-temperature direct-bandgap electroluminescence from type-I GeSn/SiGeSn multiple quantum wells for 2 μm LEDs
文献类型：期刊论文
| 作者 | Linzhi Peng ; Xiuli Li ; Jun Zheng ; Xiangquan Liu ; Mingming Li ; Zhi Liu ; Chunlai Xue ; Yuhua Zuo ; Buwen Cheng |
| 刊名 | Journal of Luminescence
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| 出版日期 | 2020 |
| 卷号 | 228页码:117539 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/30008]  |
| 专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Linzhi Peng ; Xiuli Li ; Jun Zheng ; Xiangquan Liu ; Mingming Li ; Zhi Liu ; Chunlai Xue ; Yuhua Zuo ; Buwen Cheng. Room-temperature direct-bandgap electroluminescence from type-I GeSn/SiGeSn multiple quantum wells for 2 μm LEDs[J]. Journal of Luminescence,2020,228:117539. |
| APA | Linzhi Peng ; Xiuli Li ; Jun Zheng ; Xiangquan Liu ; Mingming Li ; Zhi Liu ; Chunlai Xue ; Yuhua Zuo ; Buwen Cheng.(2020).Room-temperature direct-bandgap electroluminescence from type-I GeSn/SiGeSn multiple quantum wells for 2 μm LEDs.Journal of Luminescence,228,117539. |
| MLA | Linzhi Peng ; Xiuli Li ; Jun Zheng ; Xiangquan Liu ; Mingming Li ; Zhi Liu ; Chunlai Xue ; Yuhua Zuo ; Buwen Cheng."Room-temperature direct-bandgap electroluminescence from type-I GeSn/SiGeSn multiple quantum wells for 2 μm LEDs".Journal of Luminescence 228(2020):117539. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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