SiO2光学薄膜的吸收边特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 孔明东[1,2]; 李斌成[3]; 郭春[1]; 柳存定[1]; 何文彦[1] |
| 刊名 | 光电工程
 |
| 出版日期 | 2019 |
| 卷号 | 46期号:4页码:11-17 |
| 关键词 | SIO2薄膜 带隙宽度 带尾能量 氧空位缺陷 |
| DOI | 10.12086/oee.2019.180220 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 英文摘要 | 二氧化硅(SiO2)是光学系统中最常用光学薄膜材料之一,其微观结构、缺陷等信息对于研究和提高薄膜的性能具有重要作用。本文通过电子束蒸发、离子辅助、磁控溅射方法制备SiO2薄膜并进行测试,计算出其吸收边光谱,对吸收边光谱的强吸收区、e指数区、弱吸收区进行分段分析得到SiO2薄膜的带隙宽度、带尾能量和氧空位缺陷含量数据。进一步分析三种薄膜和其在常规退火温度下的带隙宽度、带尾能量和氧空位缺陷含量的数据,获得SiO2薄膜的微观原子排列结构、微观缺陷信息,并对不同镀膜技术和不同退火温度下SiO2薄膜的原子排列结构、微观缺陷的差异和变化进行了分析和讨论。 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.ioe.ac.cn/handle/181551/9834]  |
| 专题 | 光电技术研究所_薄膜光学技术研究室（十一室） |
| 作者单位 | 1.电子科技大学光电科学与工程学院,四川成都610054 2.中国科学院光电技术研究所,四川成都610209 3.中国科学院大学,北京100049 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孔明东[1,2],李斌成[3],郭春[1],等. SiO2光学薄膜的吸收边特性[J]. 光电工程,2019,46(4):11-17. |
| APA | 孔明东[1,2],李斌成[3],郭春[1],柳存定[1],&何文彦[1].(2019).SiO2光学薄膜的吸收边特性.光电工程,46(4),11-17. |
| MLA | 孔明东[1,2],et al."SiO2光学薄膜的吸收边特性".光电工程 46.4(2019):11-17. |
入库方式： OAI收割
来源：光电技术研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。