C、N、F掺杂对VO_2电子结构影响的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 万金玉; 刘怡飞; 李雪娇 |
| 刊名 | 人工晶体学报
 |
| 出版日期 | 2020 |
| 卷号 | 49期号:02页码:239-245+258 |
| 关键词 | 第一性原理 二氧化钒 态密度 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 英文摘要 | 二氧化钒(VO_2)是一种热至变色材料,在临界温度340 K有金属-半导体相变。第一性原理计算结果发现:C、N、F元素以1.56%、3.13%、4.69%的原子浓度掺杂M1相VO_2的带隙E_(g1)降低到0.349～0.612 eV,其中氮元素以4.69%的浓度掺杂VO_2的带隙E_(g1)最小(0.349 eV)。在C、N、F掺杂M1相VO_2体系中,3.13%的N掺杂可以有效降低相变温度,并且对可见光透过率影响不大,所以3.13%的N原子掺杂VO_2可以在实际中应用。 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/32534]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2011-2017年 |
| 作者单位 | 1.泉州医学高等专科学校; 2.中国科学院上海应用物理研究所 3.福建医科大学附属第二医院; |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 万金玉,刘怡飞,李雪娇. C、N、F掺杂对VO_2电子结构影响的研究[J]. 人工晶体学报,2020,49(02):239-245+258. |
| APA | 万金玉,刘怡飞,&李雪娇.(2020).C、N、F掺杂对VO_2电子结构影响的研究.人工晶体学报,49(02),239-245+258. |
| MLA | 万金玉,et al."C、N、F掺杂对VO_2电子结构影响的研究".人工晶体学报 49.02(2020):239-245+258. |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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