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Ti3SiC2表面渗硅涂层的抗高温氧化性能

文献类型:期刊论文

作者刘光明; 李美栓; 张亚明; 周延春
刊名中国有色金属学报
出版日期2002
卷号12.0期号:004页码:629-633
关键词钛碳化硅 渗硅 高温氧化 涂层
ISSN号1004-0609
英文摘要采用固体粉末包埋法在Ti3SiC2陶瓷上渗硅,研究了渗硅涂层的抗高温氧化性能,用XRD及SEM/EDS分析了渗硅涂层及其氧化后产物的成分,结构和形貌等。结果表明:渗硅层主要由TiSi2和SiC组成,在空气中氧化时形成了SiO2和TiO2的混合氧化物膜,渗硅样品在1100℃和1200℃下的恒温氧化速度比Ti3SiC2降低了2-3个数量级,1100℃下抗循环氧化性能也优于Ti3SiC2,但由于渗硅层中存在裂纹,循环过程中当裂纹贯穿整个渗硅层时,涂层的氧化速度开始增加,其保护作用逐步退化。在1100℃下空气中循环氧化时,经400次循环后涂层已基本失效。
语种中文
CSCD记录号CSCD:1132195
源URL[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/89074]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
作者单位中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
刘光明,李美栓,张亚明,等. Ti3SiC2表面渗硅涂层的抗高温氧化性能[J]. 中国有色金属学报,2002,12.0(004):629-633.
APA 刘光明,李美栓,张亚明,&周延春.(2002).Ti3SiC2表面渗硅涂层的抗高温氧化性能.中国有色金属学报,12.0(004),629-633.
MLA 刘光明,et al."Ti3SiC2表面渗硅涂层的抗高温氧化性能".中国有色金属学报 12.0.004(2002):629-633.

入库方式: OAI收割

来源:金属研究所

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