直流反应磁控溅射相关工艺条件对TiO2薄膜反射率性质的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王贺权; 巴德纯; 沈辉; 闻立时 |
| 刊名 | 真空科学与技术学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 28.0期号:1.0页码:55-58 |
| 关键词 | 直流反应磁控溅射 二氧化钛薄膜 太阳电池 反射率 |
| ISSN号 | 1672-7126 |
| 其他题名 | Growth Conditions and Reflectance of D C Magnetron Sputtered Tio2 Films |
| 英文摘要 | 应用直流反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜，利用n＆k仪对薄膜的反射率进行检测，结果表明TiO2薄膜可以作为太阳电池减反射薄膜应用，并且通过改变工艺条件可以调控薄膜的反射低谷。当总压强为2×10^-1Pa、O2流量为15sccm、靶基距为190mm、温度为60℃的条件下制备的Ti02薄膜的减反射效果最好。 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:3204854 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/141811]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 作者单位 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王贺权,巴德纯,沈辉,等. 直流反应磁控溅射相关工艺条件对TiO2薄膜反射率性质的影响[J]. 真空科学与技术学报,2008,28.0(1.0):55-58. |
| APA | 王贺权,巴德纯,沈辉,&闻立时.(2008).直流反应磁控溅射相关工艺条件对TiO2薄膜反射率性质的影响.真空科学与技术学报,28.0(1.0),55-58. |
| MLA | 王贺权,et al."直流反应磁控溅射相关工艺条件对TiO2薄膜反射率性质的影响".真空科学与技术学报 28.0.1.0(2008):55-58. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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