氢在沉淀强化合金γ/γ'间占位的第一原理计算
文献类型:期刊论文
作者 | 李秀艳; 张建; 戎利建; 李依依 |
刊名 | 材料科学与工程学报
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出版日期 | 2005 |
卷号 | 23.0期号:005页码:483-486 |
关键词 | 氢 第一原理计算 错配度 沉淀强化奥氏体合金 |
ISSN号 | 1673-2812 |
其他题名 | First Principles Calculation of Hydrogen Occupation between γ-γ' in Precipitate Strengthened Austenite Alloys |
英文摘要 | 本文针对沉淀强化奥氏体合金氢脆通常较单相奥氏体严重这一点,采用离散变分方法对氢在沉淀强化奥氏体合金中γ基体与γ'相之间占位进行了第一原理计算和分析.结果表明,氢原子在一般沉淀强化合金的γ与γ'相错配度范围内不会偏聚在相界,而是倾向进入基体中,错配度的微小变化对氢的占位没有影响.只有错配度大于3.7%左右,相当于有一定应变的条件下,氢才会有进入γ'相的倾向.在形变过程中进入γ'相的氢使得γ基体与γ'相界面原子成键的方向性增强,从而影响合金的氢脆性能. |
语种 | 中文 |
CSCD记录号 | CSCD:2034842 |
源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/143570] ![]() |
专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
作者单位 | 中国科学院金属研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李秀艳,张建,戎利建,等. 氢在沉淀强化合金γ/γ'间占位的第一原理计算[J]. 材料科学与工程学报,2005,23.0(005):483-486. |
APA | 李秀艳,张建,戎利建,&李依依.(2005).氢在沉淀强化合金γ/γ'间占位的第一原理计算.材料科学与工程学报,23.0(005),483-486. |
MLA | 李秀艳,et al."氢在沉淀强化合金γ/γ'间占位的第一原理计算".材料科学与工程学报 23.0.005(2005):483-486. |
入库方式: OAI收割
来源:金属研究所
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