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氢在沉淀强化合金γ/γ'间占位的第一原理计算

文献类型:期刊论文

作者李秀艳; 张建; 戎利建; 李依依
刊名材料科学与工程学报
出版日期2005
卷号23.0期号:005页码:483-486
关键词 第一原理计算 错配度 沉淀强化奥氏体合金
ISSN号1673-2812
其他题名First Principles Calculation of Hydrogen Occupation between γ-γ' in Precipitate Strengthened Austenite Alloys
英文摘要本文针对沉淀强化奥氏体合金氢脆通常较单相奥氏体严重这一点,采用离散变分方法对氢在沉淀强化奥氏体合金中γ基体与γ'相之间占位进行了第一原理计算和分析.结果表明,氢原子在一般沉淀强化合金的γ与γ'相错配度范围内不会偏聚在相界,而是倾向进入基体中,错配度的微小变化对氢的占位没有影响.只有错配度大于3.7%左右,相当于有一定应变的条件下,氢才会有进入γ'相的倾向.在形变过程中进入γ'相的氢使得γ基体与γ'相界面原子成键的方向性增强,从而影响合金的氢脆性能.
语种中文
CSCD记录号CSCD:2034842
源URL[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/143570]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
作者单位中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
李秀艳,张建,戎利建,等. 氢在沉淀强化合金γ/γ'间占位的第一原理计算[J]. 材料科学与工程学报,2005,23.0(005):483-486.
APA 李秀艳,张建,戎利建,&李依依.(2005).氢在沉淀强化合金γ/γ'间占位的第一原理计算.材料科学与工程学报,23.0(005),483-486.
MLA 李秀艳,et al."氢在沉淀强化合金γ/γ'间占位的第一原理计算".材料科学与工程学报 23.0.005(2005):483-486.

入库方式: OAI收割

来源:金属研究所

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