Al—Li合金中缺陷和电子密度的正电子寿命谱
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴伟明; 高英俊; 邓文; 罗里熊; 许少杰; 钟夏平; 蒋晓军 |
| 刊名 | 中国有色金属学报
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 7.0期号:004页码:123-126 |
| 关键词 | 正电子寿命谱 缺陷 铝合金 电子密度 |
| ISSN号 | 1004-0609 |
| 英文摘要 | 在深低温在室温同温度下，测量了不同时效状态的Ａｌ－Ｌｉ－Ｃｕ－Ｍｇ－Ｚｒ合金和含Ｚｎ、Ａｇ或Ｓｃ的合金的正电子寿命谱。分析表明；峰值时效使热空位大量回复并使基体电子密度提高。 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:412849 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/144498]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 作者单位 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴伟明,高英俊,邓文,等. Al—Li合金中缺陷和电子密度的正电子寿命谱[J]. 中国有色金属学报,1997,7.0(004):123-126. |
| APA | 吴伟明.,高英俊.,邓文.,罗里熊.,许少杰.,...&蒋晓军.(1997).Al—Li合金中缺陷和电子密度的正电子寿命谱.中国有色金属学报,7.0(004),123-126. |
| MLA | 吴伟明,et al."Al—Li合金中缺陷和电子密度的正电子寿命谱".中国有色金属学报 7.0.004(1997):123-126. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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