中频反应磁控溅射沉积Al2O3薄膜中迟滞回线的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 廖国进; 巴德纯; 闻立时; 刘斯明; 阎绍峰 |
| 刊名 | 真空
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 44.0期号:003页码:32-35 |
| 关键词 | 迟滞回线 反应溅射 中频溅射 氧化铝薄膜 |
| ISSN号 | 1002-0322 |
| 其他题名 | On the hysteresis loop in deposition of Al2O3 films prepared by medium-frequentcy reactive magnetron sputtering |
| 英文摘要 | 采用中频磁控反应溅射工艺进行氧化铝薄膜的沉积实验,对该工艺过程中溅射电压和沉积速率与氧流量的“迟滞回线”现象进行了研究。通过对实验现象的分析讨论,解释了薄膜沉积速率变化的原因。 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:3170122 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/145655]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 作者单位 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 廖国进,巴德纯,闻立时,等. 中频反应磁控溅射沉积Al2O3薄膜中迟滞回线的研究[J]. 真空,2007,44.0(003):32-35. |
| APA | 廖国进,巴德纯,闻立时,刘斯明,&阎绍峰.(2007).中频反应磁控溅射沉积Al2O3薄膜中迟滞回线的研究.真空,44.0(003),32-35. |
| MLA | 廖国进,et al."中频反应磁控溅射沉积Al2O3薄膜中迟滞回线的研究".真空 44.0.003(2007):32-35. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。