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中频反应磁控溅射沉积Al2O3薄膜中迟滞回线的研究

文献类型:期刊论文

作者廖国进; 巴德纯; 闻立时; 刘斯明; 阎绍峰
刊名真空
出版日期2007
卷号44.0期号:003页码:32-35
关键词迟滞回线 反应溅射 中频溅射 氧化铝薄膜
ISSN号1002-0322
其他题名On the hysteresis loop in deposition of Al2O3 films prepared by medium-frequentcy reactive magnetron sputtering
英文摘要采用中频磁控反应溅射工艺进行氧化铝薄膜的沉积实验,对该工艺过程中溅射电压和沉积速率与氧流量的“迟滞回线”现象进行了研究。通过对实验现象的分析讨论,解释了薄膜沉积速率变化的原因。
语种中文
CSCD记录号CSCD:3170122
源URL[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/145655]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
作者单位中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
廖国进,巴德纯,闻立时,等. 中频反应磁控溅射沉积Al2O3薄膜中迟滞回线的研究[J]. 真空,2007,44.0(003):32-35.
APA 廖国进,巴德纯,闻立时,刘斯明,&阎绍峰.(2007).中频反应磁控溅射沉积Al2O3薄膜中迟滞回线的研究.真空,44.0(003),32-35.
MLA 廖国进,et al."中频反应磁控溅射沉积Al2O3薄膜中迟滞回线的研究".真空 44.0.003(2007):32-35.

入库方式: OAI收割

来源:金属研究所

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