偏压和氮分压对TiN膜层结构和膜／基体系性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨洪刚; 李曙; 张荣禄 |
| 刊名 | 中国表面工程
 |
| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 22.0期号:002页码:20-25 |
| 关键词 | 微纳米材料 摩擦磨损 润滑 自修复 |
| ISSN号 | 1007-9289 |
| 其他题名 | Influence of Bias Voltage and N2 Partial Pressure on Structure of TiN Film and Performance of Film/Substrate |
| 英文摘要 | 采用多弧离子镀工艺在钛合金或低碳钢基材上制备TiN薄膜，研究了不同偏压及不同氮分压下制备的薄膜相结构、残余应力、膜／基体系硬度、膜／基结合及其摩擦磨损行为。结果表明：偏压影响TiN晶粒的择优取向，偏压绝对值越大则薄膜内部的残余应力也越大；偏压过高或过低都会降低薄膜与基材之间的结合强度，从而影响其摩擦学性能。氮分压上升，TiN熔滴粒度变大，Ti2N相减少，导致薄膜硬度提高；由过高或过低氮分压制备的膜／基体系在划痕试验中测得的临界载荷均较小；随着氮分压的增加，在试验范围内样品的摩擦因数下降但耐磨性并未获得预期的提高。 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:3525477 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/145811]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 作者单位 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨洪刚,李曙,张荣禄. 偏压和氮分压对TiN膜层结构和膜／基体系性能的影响[J]. 中国表面工程,2009,22.0(002):20-25. |
| APA | 杨洪刚,李曙,&张荣禄.(2009).偏压和氮分压对TiN膜层结构和膜／基体系性能的影响.中国表面工程,22.0(002),20-25. |
| MLA | 杨洪刚,et al."偏压和氮分压对TiN膜层结构和膜／基体系性能的影响".中国表面工程 22.0.002(2009):20-25. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。