总气压对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜的光学性质的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王贺权; 巴德纯; 沈辉; 汪保卫; 闻立时 |
| 刊名 | 真空科学与技术学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 25.0期号:1.0页码:65-68 |
| 关键词 | TiO2薄膜 光学性质 直流反应磁控溅射 折射率 气压 晶体结构 硅基底 短波 对消 反射率 |
| ISSN号 | 1672-7126 |
| 英文摘要 | 用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜，在固定电源功率、氩气流量42．6sccm、氧流量15sccm、溅射时间30min的条件下，通过控制总气压改变TiO22薄膜的光学性质。应用n＆k Analyzer 1200测量，当总气压增加时薄膜的平均反射率降低，同时反射低谷向短波方向移动，总气压对消光系数k影响不大；随着总气压的增加薄膜的折射率出现了下降的趋势，但当总气压达到一定量值时折射率的变化趋于稳定。通过XRD和SEM表征发现，随着总气压的增加TiO2的晶体结构由金红石相向锐钛矿相转变，薄膜表面的颗粒度大小由粗大变得微小细密。 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:2129936 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/146281]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 作者单位 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王贺权,巴德纯,沈辉,等. 总气压对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜的光学性质的影响[J]. 真空科学与技术学报,2005,25.0(1.0):65-68. |
| APA | 王贺权,巴德纯,沈辉,汪保卫,&闻立时.(2005).总气压对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜的光学性质的影响.真空科学与技术学报,25.0(1.0),65-68. |
| MLA | 王贺权,et al."总气压对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜的光学性质的影响".真空科学与技术学报 25.0.1.0(2005):65-68. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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