掺杂浓度对中频反应磁控溅射制备Al2O3：Ce^3＋薄膜发光性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 廖国进; 巴德纯; 闻立时; 刘斯明; 阎绍峰 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 13.0期号:006页码:543-548 |
| 关键词 | 三氧化二铝薄膜 中频反应磁控溅射 掺杂浓度 光致发光 Ce |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 其他题名 | Effect of Ce^3＋ concentration on luminescent properties of Al2O3 ： Ce^3＋ films by medium frequency reactive magnetron sputtering |
| 英文摘要 | 应用中频反应磁控溅射设备在载玻片上制备掺铈的Al2O3薄膜，在固定的电源功率下，氩气流量为23sccm，氧流量为5sccm，室温下溅射时间为90min的条件下，通过控制薄膜中的Ce^3＋离子的掺杂量来改变薄膜的发光性能。通过X光能量散射谱（EDS）和光致发光测量，得到发光强度和发光峰位对薄膜中的Ce^3＋浓度有强烈的依赖关系，并且分析了产生这种关系的原因；对发光激发谱分析表明，薄膜发光是源于薄膜中形成的氯化铈集合体中的Ce^3＋。Al2O3：Ce^3＋发光膜可应用于需要蓝光发射的平板显示领域． |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:3039522 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/146501]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 作者单位 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 廖国进,巴德纯,闻立时,等. 掺杂浓度对中频反应磁控溅射制备Al2O3：Ce^3＋薄膜发光性能的影响[J]. 功能材料与器件学报,2007,13.0(006):543-548. |
| APA | 廖国进,巴德纯,闻立时,刘斯明,&阎绍峰.(2007).掺杂浓度对中频反应磁控溅射制备Al2O3：Ce^3＋薄膜发光性能的影响.功能材料与器件学报,13.0(006),543-548. |
| MLA | 廖国进,et al."掺杂浓度对中频反应磁控溅射制备Al2O3：Ce^3＋薄膜发光性能的影响".功能材料与器件学报 13.0.006(2007):543-548. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。