用纳米非晶Si／N／C粉原位合成Si3N4晶须
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李亚利; 梁勇; 高阳; 肖克沈; 郑丰; 王亚庆; 胡壮麒 |
| 刊名 | 材料研究学报
 |
| 出版日期 | 1995 |
| 卷号 | 9.0期号:002页码:149-152 |
| 关键词 | 晶须 纳米级 非晶粉 原位合成 硅 氮 碳 氮化硅 |
| ISSN号 | 1005-3093 |
| 英文摘要 | 采用激光诱导有机硅烷气合成的纳米非晶Ｓｉ／Ｎ／Ｃ粉为原料，在１６００℃，１０１．３ｋＰａＮ２气下，在石墨感应炉中原位制备出α－Ｓｉ３Ｎ４晶须，其直径为０．１－０．５μｍ，长可达几毫米，纯度较高，无过剩碳及金属杂质。 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:263525 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/146574]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 作者单位 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李亚利,梁勇,高阳,等. 用纳米非晶Si／N／C粉原位合成Si3N4晶须[J]. 材料研究学报,1995,9.0(002):149-152. |
| APA | 李亚利.,梁勇.,高阳.,肖克沈.,郑丰.,...&胡壮麒.(1995).用纳米非晶Si／N／C粉原位合成Si3N4晶须.材料研究学报,9.0(002),149-152. |
| MLA | 李亚利,et al."用纳米非晶Si／N／C粉原位合成Si3N4晶须".材料研究学报 9.0.002(1995):149-152. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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