中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
ArF准分子激光晶化非晶硅薄膜微结构研究

文献类型:期刊论文

作者黄香平1; 崔连武2; 肖金泉2; 闻火3; 闻立时1
刊名世界科技研究与发展
出版日期2010
卷号000期号:004页码:417-419,426
关键词准分子激光 激光能量 结晶度
ISSN号1006-6055
其他题名Researches on the Microstructure of a-Si Film Crystallized by ArF Excimer Laser
英文摘要利用ArF准分子激光对非晶硅薄膜的表层进行晶化后,采用拉曼光谱(Raman)、透射电镜(TEM)、场发射扫描电子显微镜(FE—SEM)等实验方法研究不同激光能量密度下晶化层硅薄膜微结构变化。实验结果表明:随激光能量密度的增大,薄膜结晶度增大,晶化层厚度加厚;晶粒尺寸则是先增大,直到激光能量密度增大到210mJ/cm^2后,晶粒尺寸开始减小并且均匀性逐渐变差。最佳的激光能量密度范围为120~180mJ/cm^2,这时薄膜表面晶化层晶粒比较均匀致密,薄膜质量较好。
语种中文
CSCD记录号CSCD:3985866
源URL[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/148116]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
作者单位1.中南大学
2.中国科学院金属研究所
3.武汉华硅太阳能科技有限责任公司
推荐引用方式
GB/T 7714
黄香平,崔连武,肖金泉,等. ArF准分子激光晶化非晶硅薄膜微结构研究[J]. 世界科技研究与发展,2010,000(004):417-419,426.
APA 黄香平,崔连武,肖金泉,闻火,&闻立时.(2010).ArF准分子激光晶化非晶硅薄膜微结构研究.世界科技研究与发展,000(004),417-419,426.
MLA 黄香平,et al."ArF准分子激光晶化非晶硅薄膜微结构研究".世界科技研究与发展 000.004(2010):417-419,426.

入库方式: OAI收割

来源:金属研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。