Ti3SiC2氧化膜的抗循环氧化行为
文献类型:期刊论文
作者 | 刘光明; 李美栓; 周延春; 张亚明 |
刊名 | 材料研究学报
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出版日期 | 2002 |
卷号 | 16.0期号:003页码:263-267 |
关键词 | Ti3SiC2 氧化膜 抗循环氧化行为 钛碳化硅 循环氧化 声发射 陶瓷 抗剥落性 结构 开裂行为 |
ISSN号 | 1005-3093 |
英文摘要 | 用循环氧化和用声发射技术研究了Ti3SiC2陶瓷材料氧化膜的抗剥落性和氧化膜的开裂行为。利用XRD和SEM分析了表面成分和结构。结果表明,Ti3SiC2有良好的抗循环氧化性能,腐蚀产物分成明显的两层,外层成分为TiO2,内层为TiO2和SiO2的混合物。内层有明显的贯穿性纵向裂纹。在声发射实验的恒温阶段没有观测到声信号,但在降温过程中出现了声信号,表明生长应力不会导致氧化膜破裂,而热应力导致氧化膜破裂。 |
语种 | 中文 |
CSCD记录号 | CSCD:959656 |
源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/149561] ![]() |
专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
作者单位 | 中国科学院金属研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘光明,李美栓,周延春,等. Ti3SiC2氧化膜的抗循环氧化行为[J]. 材料研究学报,2002,16.0(003):263-267. |
APA | 刘光明,李美栓,周延春,&张亚明.(2002).Ti3SiC2氧化膜的抗循环氧化行为.材料研究学报,16.0(003),263-267. |
MLA | 刘光明,et al."Ti3SiC2氧化膜的抗循环氧化行为".材料研究学报 16.0.003(2002):263-267. |
入库方式: OAI收割
来源:金属研究所
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