Ti3SiC2陶瓷的能量耗散机理
文献类型：期刊论文
| 作者 | 胡春峰; 包亦望; 周延春 |
| 刊名 | 材料研究学报
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 19.0期号:005页码:457-463 |
| 关键词 | 无机非金属材料 层状陶瓷 局部能量耗散 压痕法 Ti3SiC2 |
| ISSN号 | 1005-3093 |
| 其他题名 | The energy-dissipation mechanism of Ti3SiC2 ceramic investigated by indentation |
| 英文摘要 | 采用维氏和赫兹压痕法研究了Ti3SiC2接触损伤及其演变.结果表明,在维氏压痕接触损伤区从表面到纵深的不同损伤排序为：表面的晶粒粉碎,亚表面的晶粒分层或破碎,再远处的晶粒完好;在赫兹压痕接触损伤区剪切损伤带以内的晶粒破碎,剪切带以外的晶粒完好.因此,造成压痕处的局部能量耗散,使应力传递受限、应力集中下降,使这种三元层状陶瓷具有准塑性特征.用声发射（Acoustic Emission,简称AE）系统监测赫兹压痕加卸载过程中的局部损伤过程,发现在加载过程中声发射信号密集,卸载过程声发射信号稀疏,证明了损伤和局部能量耗散的不可逆性.Ti3SiC2陶瓷的能量局部耗散机理是弱晶界面开裂和晶粒分层导致的局部软化和破碎,在损伤区范围内吸收能量并使局部应力释放. |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:2085787 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/150962]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 作者单位 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡春峰,包亦望,周延春. Ti3SiC2陶瓷的能量耗散机理[J]. 材料研究学报,2005,19.0(005):457-463. |
| APA | 胡春峰,包亦望,&周延春.(2005).Ti3SiC2陶瓷的能量耗散机理.材料研究学报,19.0(005),457-463. |
| MLA | 胡春峰,et al."Ti3SiC2陶瓷的能量耗散机理".材料研究学报 19.0.005(2005):457-463. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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