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原子氢传感器池体系静态数学模型

文献类型:期刊论文

作者阎一功; 杜元龙; 肖恺
刊名腐蚀科学与防护技术
出版日期2003
卷号15期号:6页码:361-364
关键词原子氢传感器 电池体系 电动势 内电阻 温度
ISSN号1002-6495
其他题名Static mathematical model of cell system for atomic hydrogen sensor
英文摘要利用热力学方法,讨论了温度、隔膜材料对原子氢传感器电池体系电动势、内电阻的影响,构建了传感器电池体系静态数学模型。在此基础上,给出了利用试验求解电动势、内电阻温度系数的方法,并通过试验分析了三种隔膜材料在280K ~ 360K范围内对电池体系传输特性的影响。
语种中文
CSCD记录号CSCD:1199045
源URL[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/151459]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
作者单位中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
阎一功,杜元龙,肖恺. 原子氢传感器池体系静态数学模型[J]. 腐蚀科学与防护技术,2003,15(6):361-364.
APA 阎一功,杜元龙,&肖恺.(2003).原子氢传感器池体系静态数学模型.腐蚀科学与防护技术,15(6),361-364.
MLA 阎一功,et al."原子氢传感器池体系静态数学模型".腐蚀科学与防护技术 15.6(2003):361-364.

入库方式: OAI收割

来源:金属研究所

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