天然锗纳米晶的制备与中子嬗变掺杂研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 范立伟1; 卢铁城2; 敦少博1; 胡又文1; 陈青云1; 胡强1; 游草风1; 张松宝3; 唐彬3; 代君龙3 |
| 刊名 | 四川大学学报：自然科学版
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| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 48.0期号:003页码:651-654 |
| 关键词 | 天然Ge纳米晶 中子嬗变掺杂 拉曼光谱 X射线荧光光谱 |
| ISSN号 | 0490-6756 |
| 其他题名 | The preparation of natural Ge nanocrystals in SiO2 film and neutron transmutation doping |
| 英文摘要 | 采用离子注入法及退火工艺，在硅基二氧化硅薄膜中制备了镶嵌结构的天然Ge纳米晶样品．通过退火实验研究，发现随着退火温度的升高，纳米晶的晶态峰峰位红移，这意味着Ge纳米晶受到的应力减小．当退火温度达到700℃时，纳米晶的晶态峰强度显著增强，而且薄膜中与Ge有关的缺陷发光减弱．采用中子嬗变掺杂法对天然Ge纳米晶进行了掺杂，X射线荧光光谱数据表明，样品中成功的引入了Ga杂质和As杂质．薄膜中形成的与Ge有关的缺陷具有稳定的结构，中子辐照之后其发光仍然存在，而且，掺杂后的样品中没有发现与Ga或As有关的缺陷发光． |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:4204638 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/151657]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 作者单位 | 1.四川大学 2.中国科学院国际材料物理研究中心 3.中国工程物理研究院核物理与化学所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 范立伟,卢铁城,敦少博,等. 天然锗纳米晶的制备与中子嬗变掺杂研究[J]. 四川大学学报：自然科学版,2011,48.0(003):651-654. |
| APA | 范立伟.,卢铁城.,敦少博.,胡又文.,陈青云.,...&代君龙.(2011).天然锗纳米晶的制备与中子嬗变掺杂研究.四川大学学报：自然科学版,48.0(003),651-654. |
| MLA | 范立伟,et al."天然锗纳米晶的制备与中子嬗变掺杂研究".四川大学学报：自然科学版 48.0.003(2011):651-654. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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