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光激发发荧光谱术分析Co-Cr-Al(Y)纳米涂层的氧化II.Al_2O_3膜应力测量与分析

文献类型:期刊论文

作者袁晓; 王福会
刊名金属学报
出版日期2003
卷号39期号:10页码:1060-1064
关键词光激发荧光谱术 Al_2O_3残余应力 磁控溅射Co-Cr-Al(Y) 纳米涂层
ISSN号0412-1961
其他题名Photo-stimulated luminescence spectroscopic analysis of the oxidation of magnetron sputtered Co-Cr-Al(Y) nanocoatings II. Residual Stresses and Mechanical Behavior of Al_2O_3 Scale
英文摘要用光激发荧光谱术分析测量磁控溅射Co-Cr-Al(Y)纳米涂层经1000,1100和1200 ℃氧化后Al_2O_3膜中的残余应力,获得如下结果:(1)残余应力随氧化温度升高而增大;(2)暂态氧化出现的区域应力值明显低于无暂态氧化的区域;(3)两种涂层1000 ℃下形成的氧化膜中的残余应力相差不大,但在1100和1200 ℃下,含Y涂层形成的氧化膜中的残余应力比不含Y中的高。对实验结果进行了分析。
语种中文
CSCD记录号CSCD:1267047
源URL[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/151802]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
作者单位中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
袁晓,王福会. 光激发发荧光谱术分析Co-Cr-Al(Y)纳米涂层的氧化II.Al_2O_3膜应力测量与分析[J]. 金属学报,2003,39(10):1060-1064.
APA 袁晓,&王福会.(2003).光激发发荧光谱术分析Co-Cr-Al(Y)纳米涂层的氧化II.Al_2O_3膜应力测量与分析.金属学报,39(10),1060-1064.
MLA 袁晓,et al."光激发发荧光谱术分析Co-Cr-Al(Y)纳米涂层的氧化II.Al_2O_3膜应力测量与分析".金属学报 39.10(2003):1060-1064.

入库方式: OAI收割

来源:金属研究所

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