β—Ni3Nb相单个平移畴界的相干电子微衍射研究
文献类型:期刊论文
作者 | 潘华勇; 李树有; 朱静; 杜奎; 王元明; 贺连龙; 叶恒强 |
刊名 | 电子显微学报
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出版日期 | 2000 |
卷号 | 19.0期号:005页码:699-703 |
关键词 | 相干电子微衍射 单个平移畴界 镍基合金 沉淀相 |
ISSN号 | 1000-6281 |
英文摘要 | 本文采用HF-2000FEG电镜对Zhang等^「7」已经用HR-TEM高分辨技术研究的β-Ni3Nb相的几种单个平移畴界进行了相干电子微衍射研究,不但对已发现R1=「1/2,0,0」和R2=1/4「102」型平移畴界进行了微衍射分析,而且发现了R5=「1/4,1/2,0.81」型平移畴界。 |
语种 | 中文 |
CSCD记录号 | CSCD:581149 |
源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/155901] ![]() |
专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
作者单位 | 中国科学院金属研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 潘华勇,李树有,朱静,等. β—Ni3Nb相单个平移畴界的相干电子微衍射研究[J]. 电子显微学报,2000,19.0(005):699-703. |
APA | 潘华勇.,李树有.,朱静.,杜奎.,王元明.,...&叶恒强.(2000).β—Ni3Nb相单个平移畴界的相干电子微衍射研究.电子显微学报,19.0(005),699-703. |
MLA | 潘华勇,et al."β—Ni3Nb相单个平移畴界的相干电子微衍射研究".电子显微学报 19.0.005(2000):699-703. |
入库方式: OAI收割
来源:金属研究所
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