中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
CF4射频容性耦合等离子体对硅橡胶表面双疏改性的研究

文献类型:期刊论文

作者高松华; 闻立时; 周克省; 刘洋; 雷明凯
刊名功能材料
出版日期2009
卷号40.0期号:1.0页码:79-81
关键词硅橡胶 容性耦合等离子体 表面改性 XPS
ISSN号1001-9731
其他题名The amphiphobic modification on silicone rubber by CF4 radio frequency capacitively coupled plasma
英文摘要利用CF4射频容性耦合等离子体对硅橡胶进行表面双疏改性,用XPS技术分析了处理后硅橡胶表面成分变化,并利用接触角测量研究了表面疏水疏油改性效果。结果表明,CF4射频容性耦合等离子体通过等离子体表面氟化和剥离或刻蚀的相互竞争作用在硅橡胶表面引入大量硅氟基团和少量碳氟基团,两者协同作用使硅橡胶的疏水疏油性能得到大幅提高。
语种中文
CSCD记录号CSCD:3490603
源URL[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/156388]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
作者单位中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
高松华,闻立时,周克省,等. CF4射频容性耦合等离子体对硅橡胶表面双疏改性的研究[J]. 功能材料,2009,40.0(1.0):79-81.
APA 高松华,闻立时,周克省,刘洋,&雷明凯.(2009).CF4射频容性耦合等离子体对硅橡胶表面双疏改性的研究.功能材料,40.0(1.0),79-81.
MLA 高松华,et al."CF4射频容性耦合等离子体对硅橡胶表面双疏改性的研究".功能材料 40.0.1.0(2009):79-81.

入库方式: OAI收割

来源:金属研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。