热门
In2O3：Sn和ZnO：Al透明导电薄膜的结构及其导电机制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈猛; 白雪冬; 黄荣芳; 闻立时 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 21.0期号:004页码:394-399 |
| 关键词 | 导电薄膜 结构 导电机制 氧化锌 氧化铟 |
| ISSN号 | 1674-4926 |
| 英文摘要 | 基于对锡掺杂三氧化铟（Ｓｎ－ｄｏｐｅｄ Ｉｎ２Ｏ３，简称ＩＴＯ）和铝掺杂氧化锌（Ａｌ－ｄｏｐｅｄ ＺｎＯ，简称ＺＡＯ）薄膜退火前后ＸＲＤ数据的分析，研究了薄膜晶格常数畸变的原因，同时讨论了ＩＴＯ和ＺＡＯ薄膜的导电机制。结果表明，低温沉积ＩＴＯ薄膜的晶格膨胀来源于Ｓｎ＾２＋对Ｉｎ＾３＋的替换，导电电子则由氧缺位提供；高温在位制备和退火处理后薄膜的晶格收缩来源于Ｓｎ＾４＋对Ｉｎ＾３＋的替换，导电电子则 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:532714 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/156828]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 作者单位 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈猛,白雪冬,黄荣芳,等. In2O3：Sn和ZnO：Al透明导电薄膜的结构及其导电机制[J]. 半导体学报,2000,21.0(004):394-399. |
| APA | 陈猛,白雪冬,黄荣芳,&闻立时.(2000).In2O3：Sn和ZnO：Al透明导电薄膜的结构及其导电机制.半导体学报,21.0(004),394-399. |
| MLA | 陈猛,et al."In2O3：Sn和ZnO：Al透明导电薄膜的结构及其导电机制".半导体学报 21.0.004(2000):394-399. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。