靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜光学性质的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王贺权; 沈辉; 巴德纯; 汪保卫; 闻立时 |
| 刊名 | 真空
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 42.0期号:1.0页码:11-14 |
| 关键词 | 二氧化钛薄膜 直流反应磁控溅射 靶基距 反射率 |
| ISSN号 | 1002-0322 |
| 英文摘要 | 应用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜，在固定的电源功率下，氩气流量为42．6 sccm，氧流量为15 sccm，溅射时间为30min的条件下，通过控制靶基距改变TiO2薄膜的光学性质。应用n&k Analyzer 1200测量，当靶基距增加时薄膜的平均反射率降低，同时反射低谷先短波后长波之后再短波；靶基距对消光系数五影响较大；随着靶基距的增加薄膜的折射率出现了下降的趋势，但当靶基距达到一定的量值时折射率的变化趋于稳定。通过XRD和SEM表征发现，随着靶基距的增加TiO2的晶体结构由金红石相向锐钛矿相转变，薄膜表面的颗粒度大小由粗大变得微小细密。 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:1895678 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/156835]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 作者单位 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王贺权,沈辉,巴德纯,等. 靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜光学性质的影响[J]. 真空,2005,42.0(1.0):11-14. |
| APA | 王贺权,沈辉,巴德纯,汪保卫,&闻立时.(2005).靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜光学性质的影响.真空,42.0(1.0),11-14. |
| MLA | 王贺权,et al."靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜光学性质的影响".真空 42.0.1.0(2005):11-14. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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