柔性基片上In2O3：Sn和ZnO：Al薄膜的制备及其电学和光学特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈猛; 白雪冬; 黄荣芳; 闻立时 |
| 刊名 | 金属学报
 |
| 出版日期 | 1999 |
| 卷号 | 35.0期号:004页码:443-448 |
| 关键词 | 柔性基片 光学能隙 半导体薄膜 制备 ITO ZAO |
| ISSN号 | 0412-1961 |
| 英文摘要 | 利用直流磁控反应溅射铟锡合金靶和锌合金钯，在软基片上低温沉积了Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ（ＩＴＯ）和ＺｎＯ：Ａｌ（ＺＡＯ）透明电薄膜。结果表明，ＩＴＯ和ＺＡＯ薄膜均出现晶格畸变；柔性基片上低温沉积薄膜的电阻率对氧分压的依赖性远低于硅和玻璃衬底；尺度效应对薄膜电阻率有重要的影响。 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:675290 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/156903]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 作者单位 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈猛,白雪冬,黄荣芳,等. 柔性基片上In2O3：Sn和ZnO：Al薄膜的制备及其电学和光学特性[J]. 金属学报,1999,35.0(004):443-448. |
| APA | 陈猛,白雪冬,黄荣芳,&闻立时.(1999).柔性基片上In2O3：Sn和ZnO：Al薄膜的制备及其电学和光学特性.金属学报,35.0(004),443-448. |
| MLA | 陈猛,et al."柔性基片上In2O3：Sn和ZnO：Al薄膜的制备及其电学和光学特性".金属学报 35.0.004(1999):443-448. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。