外延生长的Gd掺杂CeO2薄膜内位错的透射电子显微学表征
文献类型：期刊论文
| 作者 | 宋克鹏; 杜奎; 叶恒强 |
| 刊名 | 电子显微学报
 |
| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 34.0期号:1.0页码:14-17 |
| 关键词 | 固体氧化物燃料电池 外延生长 GDC 位错 高分辨透射电子显微像 |
| ISSN号 | 1000-6281 |
| 其他题名 | Transmission electron microscopy characterization of dislocations in epitaxial gadolinia-doped ceria films |
| 英文摘要 | 利用脉冲激光沉积（ pulsed laser depositon， PLD）方法在YSZ（ Y2 O3 stabilised zirconia）单晶衬底上外延生长了Gd掺杂的CeO2薄膜（gadolinium doped CeO2，GDC）。利用透射电子显微镜（TEM）对GDC／YSZ界面以及GDC薄膜内部的位错结构进行了表征。实验发现，界面处存在周期性分布的失配位错，界面失配主要通过失配位错释放。 GDC薄膜内部存在两种不同的位错，其中一种为纯刃型位错，另外一种为混合型位错。 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:5360395 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/157269]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 作者单位 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋克鹏,杜奎,叶恒强. 外延生长的Gd掺杂CeO2薄膜内位错的透射电子显微学表征[J]. 电子显微学报,2015,34.0(1.0):14-17. |
| APA | 宋克鹏,杜奎,&叶恒强.(2015).外延生长的Gd掺杂CeO2薄膜内位错的透射电子显微学表征.电子显微学报,34.0(1.0),14-17. |
| MLA | 宋克鹏,et al."外延生长的Gd掺杂CeO2薄膜内位错的透射电子显微学表征".电子显微学报 34.0.1.0(2015):14-17. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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