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钴氮共掺杂TiO2薄膜的制备及其光电化学性质

文献类型:期刊论文

作者施晶莹; 冷文华; 程小芳; 张昭; 张鉴清; 曹楚南
刊名中国有色金属学报
出版日期2007
卷号17.0期号:009页码:1536-1542
关键词TiO2薄膜 钴氮共掺杂 光电化学 可见光
ISSN号1004-0609
其他题名Preparation of cobalt and nitrogen codoped TiO2 thin films and their photoelctrochemical performance
英文摘要采用溶胶-凝胶法分别制备未掺杂和钴掺杂TiO2溶胶,室温下将其分别与三乙胺反应制得氮掺杂和(Co,N)共掺杂的TiO2溶胶,然后通过浸渍-提拉法在钛片上成膜,经烧结获得掺杂光电极。采用XRD、SEM、XPS和紫外-可见光谱和光电流作用谱等对电极进行表征,并探讨其光电响应机理。结果表明:TiO2共掺杂后并未引起TiO2能带边缘位置发生明显改变,N主要以NOx形式掺杂;(Co,N)共掺杂TiO2薄膜电极的可见光电响应比单掺杂的高,这主要归因于共掺杂TiO2薄膜电极的比表面积增大、光吸收性能改善、界面电荷转移速率提高以及共掺杂元素的协同作用等。
语种中文
CSCD记录号CSCD:2937195
源URL[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/157441]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
作者单位中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
施晶莹,冷文华,程小芳,等. 钴氮共掺杂TiO2薄膜的制备及其光电化学性质[J]. 中国有色金属学报,2007,17.0(009):1536-1542.
APA 施晶莹,冷文华,程小芳,张昭,张鉴清,&曹楚南.(2007).钴氮共掺杂TiO2薄膜的制备及其光电化学性质.中国有色金属学报,17.0(009),1536-1542.
MLA 施晶莹,et al."钴氮共掺杂TiO2薄膜的制备及其光电化学性质".中国有色金属学报 17.0.009(2007):1536-1542.

入库方式: OAI收割

来源:金属研究所

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