C／C—SiC梯度基复合材料氧化行为研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 邓景屹; 刘文川; 杜海峰; 成会明; 李依依 |
| 刊名 | 硅酸盐学报
 |
| 出版日期 | 1999 |
| 卷号 | 27.0期号:003页码:357-361 |
| 关键词 | 碳 复合材料 氧化 碳化硅 非金属 |
| ISSN号 | 0454-5648 |
| 英文摘要 | 研究比较Ｃ／Ｃ－ＳｉＣ梯度基复合材料和Ｃ／Ｃ复合材料的氧化行为，实验结果表明：ＳｉＣ通过占据表面活性点提高了共沉积基体的氧化起始温度；由于减少碳与氧的接触面积，阻挡氧化凹坑的扩展，降低了材料的氧化质量损失速率。利用ＳＥＭ观察了梯度基复合材料微观氧化过程。 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:617094 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/157850]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 作者单位 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邓景屹,刘文川,杜海峰,等. C／C—SiC梯度基复合材料氧化行为研究[J]. 硅酸盐学报,1999,27.0(003):357-361. |
| APA | 邓景屹,刘文川,杜海峰,成会明,&李依依.(1999).C／C—SiC梯度基复合材料氧化行为研究.硅酸盐学报,27.0(003),357-361. |
| MLA | 邓景屹,et al."C／C—SiC梯度基复合材料氧化行为研究".硅酸盐学报 27.0.003(1999):357-361. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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