透明导电氧化物ZnO：Al（ZAO）薄膜的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 裴志亮; 谭明晖; 陈猛; 孙超; 黄荣芳; 闻立时 |
| 刊名 | 金属学报
 |
| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 36.0期号:1.0页码:72-76 |
| 关键词 | ZnO：Al薄膜 电阻空间分布 光电性能 导电薄膜 |
| ISSN号 | 0412-1961 |
| 英文摘要 | 用磁控反应溅射法制备了ＺｎＯ：Ａｌ薄膜，研究了薄膜方块电阻空间分布的均匀性及微观形貌，并对ＺｎＯ：Ａｌ薄膜表面各元素的化学状态和深度分布进行了ＸＰＳ和ＡＥＳ分析，同时也讨论了薄膜的光学电学性能。 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:675485 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/158147]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 作者单位 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 裴志亮,谭明晖,陈猛,等. 透明导电氧化物ZnO：Al（ZAO）薄膜的研究[J]. 金属学报,2000,36.0(1.0):72-76. |
| APA | 裴志亮,谭明晖,陈猛,孙超,黄荣芳,&闻立时.(2000).透明导电氧化物ZnO：Al（ZAO）薄膜的研究.金属学报,36.0(1.0),72-76. |
| MLA | 裴志亮,et al."透明导电氧化物ZnO：Al（ZAO）薄膜的研究".金属学报 36.0.1.0(2000):72-76. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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