基于单根孪晶结构GaN纳米线的紫外光电探测器及制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 姜辛、刘宝丹、张兴来、刘青云、贾文博、刘鲁生 |
| 发表日期 | 2019-10-22 |
| 专利号 | 201610818729.9 |
| 著作权人 | 姜辛、刘宝丹、张兴来、刘青云、贾文博、刘鲁生 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/158450]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 作者单位 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 姜辛、刘宝丹、张兴来、刘青云、贾文博、刘鲁生. 基于单根孪晶结构GaN纳米线的紫外光电探测器及制备方法. 201610818729.9. 2019-10-22. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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