高介电栅介质ZrO2薄膜的物理电学性能
文献类型：期刊论文
| 作者 | 武德起; 姚金城 ; 赵红生; 常爱民; 李锋; 周阳
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| 刊名 | 河北大学学报(自然科学版)
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| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 29期号:5页码:484-488,554 |
| 关键词 | Zro2薄膜 高介电栅介质 等效厚度 漏电流 |
| ISSN号 | 1000-1565 |
| 其他题名 | physical and electrical properties of zro2 gate dielectrics film |
| 英文摘要 | 采用脉冲激光沉积方法在Si衬底上沉积了ZrO2栅介质薄膜,X射线衍射分析表明该薄膜经过450℃退火后低介电界面层得到抑制,仍然保持非晶状态;电学测试显示10 nm厚ZrO2薄膜的等效厚度为3.15 nm,介电常数12.38,满足新型高介电栅介质的要求,在-1 V偏压下Al/ZrO2/Si/Al电容器的漏电流密度为1.1×10-4A/cm2. |
| 公开日期 | 2012-11-29 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1808]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 1.河北大学物理科学与技术学院 2.中国科学院研究生院 3.中国科学院半导体所 4.中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 武德起,姚金城,赵红生,等. 高介电栅介质ZrO2薄膜的物理电学性能[J]. 河北大学学报(自然科学版),2009,29(5):484-488,554. |
| APA | 武德起,姚金城,赵红生,常爱民,李锋,&周阳.(2009).高介电栅介质ZrO2薄膜的物理电学性能.河北大学学报(自然科学版),29(5),484-488,554. |
| MLA | 武德起,et al."高介电栅介质ZrO2薄膜的物理电学性能".河北大学学报(自然科学版) 29.5(2009):484-488,554. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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