高介电栅介质材料HfO2掺杂后的物理电学特性（英文）
文献类型：期刊论文
| 作者 | 武德起; 姚金城 ; 赵红生; 张东炎; 常爱民; 李锋; 周阳
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| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 15期号:1页码:71-74 |
| 关键词 | 高介电栅介质材料 激光分子束外延 二氧化铪 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 其他题名 | physical and electrical properties of the high-k dielectrics with ni and al inclusion in hfo2 |
| 英文摘要 | 采用激光分子束外延法(LMBE)在P型Si(100)衬底上沉积了(HfO2)x(Al2O3)Y(NiO)1-x-y,栅介质薄膜,研究了其热稳定性以及阻挡氧扩散的能力.X射线衍射表明在HfO2中掺入Ni和Al元素明显提高了其结晶温度.原子力显微镜测试显示:在N2中退火后薄膜表面是原子级平滑连续的,没有发现针孔.900℃N2中退火后的薄膜在高分辨透射电镜下没有发现硅酸盐界面层.实验结果表明在氧化物薄膜与硅衬底之间引入Ni-Al-O置入层能够防止硅酸盐低介电界面层的生成,这有利于MOS晶体管的进一步尺度缩小. |
| CSCD记录号 | CSCD:3537224 |
| 公开日期 | 2012-11-29 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1893]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所；中国科学院北京半导体所；中科院研究生院；河北大学物理科学与技术学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 武德起,姚金城,赵红生,等. 高介电栅介质材料HfO2掺杂后的物理电学特性（英文）[J]. 功能材料与器件学报,2009,15(1):71-74. |
| APA | 武德起.,姚金城.,赵红生.,张东炎.,常爱民.,...&周阳.(2009).高介电栅介质材料HfO2掺杂后的物理电学特性（英文）.功能材料与器件学报,15(1),71-74. |
| MLA | 武德起,et al."高介电栅介质材料HfO2掺杂后的物理电学特性（英文）".功能材料与器件学报 15.1(2009):71-74. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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