高介电栅介质材料研究进展
文献类型：期刊论文
| 作者 | 武德起; 赵红生; 姚金城 ; 张东炎; 常爱民
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| 刊名 | 无机材料学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 23期号:5页码:865-871 |
| 关键词 | 高介电栅介质 晶化温度 低介电界面层 金属栅电极 |
| ISSN号 | 1000-324X |
| DOI | 10.3724/SP.J.1077.2008.00865 |
| 其他题名 | Development of high-k gate dielectric materials |
| 英文摘要 | 传统的栅介质材料SiO_2不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求,因此高介电栅介质材料在近几年得到了广泛的研究,进展迅速.本文综述了国内外对高介电材料的研究成果,并结合作者的工作介绍了高介电栅介质在晶化温度、低介电界面层、介电击穿和金属栅电极等方面的最新研究进展. |
| CSCD记录号 | CSCD:3388635 |
| 公开日期 | 2012-11-29 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1987]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 武德起,赵红生,姚金城,等. 高介电栅介质材料研究进展[J]. 无机材料学报,2008,23(5):865-871. |
| APA | 武德起,赵红生,姚金城,张东炎,&常爱民.(2008).高介电栅介质材料研究进展.无机材料学报,23(5),865-871. |
| MLA | 武德起,et al."高介电栅介质材料研究进展".无机材料学报 23.5(2008):865-871. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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