质子与中子辐照对电荷耦合器件暗信号参数的影响及其效应分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 曾骏哲; 李豫东 ; 文林; 何承发; 郭旗; 汪波; 玛丽娅; 魏莹; 王海娇; 武大猷
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 64期号:19页码:173-180 |
| 关键词 | 电荷耦合器件 质子辐照 中子辐照 输运仿真 |
| 英文摘要 | 对科学级电荷耦合器件(charge-coupled device,CCD)进行了质子和中子辐照试验及退火试验,应用蒙特卡洛方法计算了质子和中子在CCD中的能量沉积,分析了器件的辐射损伤机理.仿真计算了N+埋层内沉积的位移损伤剂量,辐照与退火试验过程中主要考察暗信号的变化规律.研究结果显示,质子与中子辐照均会引发暗信号退化,其退化的规律与位移损伤剂量变化一致;退火后,质子辐照所致CCD暗信号大幅度恢复,其体暗信号增加量占总暗信号增加量的比例最多为22%;中子辐照引发的暗信号增长主要为体暗信号.质子和中子在N+埋层产生相同位移损伤剂量的情况下,两者导致的体暗信号增长量相同,质子与中子辐照产生的体缺陷对体暗信号增长的贡献是同质的. |
| CSCD记录号 | CSCD:5576826 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4508]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 固体辐射物理研究室 |
| 作者单位 | 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院新疆理化技术研究所；中国科学院大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曾骏哲,李豫东,文林,等. 质子与中子辐照对电荷耦合器件暗信号参数的影响及其效应分析[J]. 物理学报,2015,64(19):173-180. |
| APA | 曾骏哲.,李豫东.,文林.,何承发.,郭旗.,...&周航.(2015).质子与中子辐照对电荷耦合器件暗信号参数的影响及其效应分析.物理学报,64(19),173-180. |
| MLA | 曾骏哲,et al."质子与中子辐照对电荷耦合器件暗信号参数的影响及其效应分析".物理学报 64.19(2015):173-180. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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