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P型金属氧化物半导体(PMOS)剂量计探头的差分工作电路技术

文献类型:期刊论文

作者王思源1,2; 孙静2; 陆妩1,2
刊名辐射研究与辐射工艺学报
出版日期2021
卷号39期号:1页码:85-90
关键词金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET) 剂量计 差分电路 灵敏度 总剂量
ISSN号1000-3436
英文摘要

针对目前国内使用的P型金属氧化物半导体(Positive channel metal oxide semiconductor,PMOS)剂量计存在的灵敏度较低的问题,在对PMOS剂量计探头工作电路原理进行深入研究的基础上,采用差分工作模式的探头电路对我国PMOS剂量计的工作电路进行改进,采用60Coγ辐射源对国内常用探头进行辐照试验。结果表明:差分工作模式探头的辐照响应在线性度方面基本与国内目前常用的恒流注入工作模式探头保持一致,根据公式ΔVth=KDn拟合后两种工作模式的n值均为0.7;而差分工作模式下探头的灵敏度得到了大幅度提高,恒流工作模式时探头灵敏度为0.021 8 V/Gy(Si),差分工作模式时探头灵敏度为0.097 2 V/Gy(Si),是恒流注入工作模式灵敏度的4倍有余。

CSCD记录号CSCD:6923328
源URL[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/7729]  
专题固体辐射物理研究室
通讯作者陆妩1,2
作者单位1.中国科学院新疆理化技术研究所
2.新疆大学物理科学与技术学院
推荐引用方式
GB/T 7714
王思源1,2,孙静2,陆妩1,2. P型金属氧化物半导体(PMOS)剂量计探头的差分工作电路技术[J]. 辐射研究与辐射工艺学报,2021,39(1):85-90.
APA 王思源1,2,孙静2,&陆妩1,2.(2021).P型金属氧化物半导体(PMOS)剂量计探头的差分工作电路技术.辐射研究与辐射工艺学报,39(1),85-90.
MLA 王思源1,2,et al."P型金属氧化物半导体(PMOS)剂量计探头的差分工作电路技术".辐射研究与辐射工艺学报 39.1(2021):85-90.

入库方式: OAI收割

来源:新疆理化技术研究所

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