一种在碳基材料表面制备MoSi2涂层的方法
文献类型：专利
| 作者 | 邱杰; 刘华剑; 俞国军; 刘崎; 夏汇浩; 谢雷东; 侯惠奇 |
| 发表日期 | 2017-04-26 |
| 专利号 | CN106588122A |
| 著作权人 | 中国科学院上海应用物理研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种在碳基材料表面制备MoSi2涂层的方法。本发明将盐浴工艺与包埋渗硅工艺进行了有机结合，具有工艺操作简单、成本低的优点，并且特别适用于不规则形状的碳基材料部件，有利于规模化生产；不同于现有的以MoSi2粉末为包埋原料，通过高温烧结直接制备的涂层，本发明以盐浴法制备Mo2C过渡涂层，Mo2C深入钉扎到碳基材料内部，显著提高了涂层与基体的结合力；不同于现有的涂层硅化方法，本发明选择NiF2和/或FeF3作为活化剂，可有效降低涂层的制备温度（<1000℃，最低可达850℃），制备的涂层致密，没有裂纹缺陷。 |
| 公开日期 | 2017-04-26 |
| 申请日期 | 2016-12-26 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/33602]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2011-2017年 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邱杰,刘华剑,俞国军,等. 一种在碳基材料表面制备MoSi2涂层的方法. CN106588122A. 2017-04-26. |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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