一种碳化硅陶瓷材料及其的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 王谋华; 程勇; 刘伟华; 张文礼; 张文发; 李诚; 吴国忠 |
| 发表日期 | 2017-02-22 |
| 专利号 | CN106431410A |
| 著作权人 | 中国科学院上海应用物理研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种碳化硅陶瓷材料及其制备方法。其包括如下步骤：(1)将数均分子量为300～4000的聚碳硅烷用高能射线进行辐照处理，其中，所述聚碳硅烷的吸收剂量为50～2000kGy；(2)将辐照处理后的聚碳硅烷热裂解制备得到碳化硅陶瓷材料。本发明利用原位辐照的方法制备碳化硅陶瓷材料，仅改变高分子的化学结构，不引入杂质；辐照过程完全可控，可根据原料特性进行辐照剂量控制，达到最佳效果，既能显著提高碳化硅陶瓷材料的产率、降低生产成本、缩短生产周期，又能不影响辐照后聚碳硅烷的各种成型工艺和生产过程；此外，采用本发明的制备方法制得的碳化硅陶瓷材料更加均匀，耐温性能、致密度和拉伸强度等性能进一步改善。 |
| 公开日期 | 2017-02-22 |
| 申请日期 | 2015-08-10 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/33620]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2011-2017年 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王谋华,程勇,刘伟华,等. 一种碳化硅陶瓷材料及其的制备方法. CN106431410A. 2017-02-22. |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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