一种中子产生靶
文献类型:专利
作者 | 王宏伟; 胡瑞荣; 曹云; 林作康; 黄建平; 张桂林; 蔡翔舟; 陈金根; 刘龙祥 |
发表日期 | 2017-02-08 |
专利号 | CN106385757A |
著作权人 | 中国科学院上海应用物理研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明公开了一种中子产生靶,包括位于真空中的靶体,其还包括用于检测靶体温度的温度传感器以及冷却系统,以基于该温度传感器检测到的靶体温度监控靶体入射表面束斑位置和/或靶体温度。本发明通过用于检测靶体入射表面上一点或多点温度的温度传感器检测入射表面上一点或多点的温度,通过入射表面上一点或多点的温度的变化判断束斑位置并加以控制,从而实现束斑监控的功能;可以通过用于检测靶体上各点温度的温度传感器检测靶体上各点的温度,通过靶体上各点的温度的大小判断靶体温度是否超限并加以控制,从而实现温度监控的功能。本发明提供的中子产生靶可用于产生中子,同时还具有束斑监控和温度监控的功能。此外,还具有靶体冷却功能。 |
公开日期 | 2017-02-08 |
申请日期 | 2016-09-18 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/33623] ![]() |
专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2011-2017年 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王宏伟,胡瑞荣,曹云,等. 一种中子产生靶. CN106385757A. 2017-02-08. |
入库方式: OAI收割
来源:上海应用物理研究所
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